三星Galaxy S21已經有很有趣的新聞。三星已經宣布了其RAM製造方式的重大改進，明年的旗艦產品很可能是第一款受益匪淺的手機。
三星的新型10納米16GB LPDDR5 RAM芯片的速度大大超過了以往，該公司稱，目前為全球智能手機供電的設備的速度提高了16％。
確實，據三星稱，RAM能夠在一秒鐘內傳輸超過50GB的數據。換句話說，1,299美元的Galaxy Note 20 Ultra已經算是"落後"了。
但這不僅關乎速度，16GB芯片的厚度也比當前版本薄30％，並且製造商試圖將更多組件封裝到更小的手機中，還算有幫助。三星並不希望它的競爭對手製造商採用這一新技術，因此這可能是朝著更薄，更輕的手機全面發展邁出的一步。
但是，競爭對手的智能手機製造商在三星擁有自己的電話部門之前就不會接觸新技術。那麼，這種快速的新RAM是否可以在S21中首次亮相，還是公司會認為16GB RAM顯得過大？畢竟，即使是Galaxy Note 20 Ultra也可以使用12GB。
實際上，大多數旗艦智能手機所能做到的遠不止於此，儘管理論上更多的RAM使手機在多任務處理方面更勝一籌，但這種差異在大多數日常任務中並不總是很明顯，甚至不受流行的基準測試軟件認可。一個比較萬普拉斯8專業版與8GB的RAM，以一個具有12GB RAM和差異的原因可能占到一個舍入誤差。
如果三星確實確實將這個新的RAM裝入了S21，那麼它可能會解決我們聽到的一個令人擔憂的傳言：該手機將不會包裝最新，最出色的高通芯片，並且將繼續使用Snapdragon 865。
這聽起來像是一個冒險的策略，但是隨著高通Snapdragon 875芯片的價格飛漲，選擇稍慢的SoC可能只會減少兩個弊端。而且，如果更快的RAM可以在不需要新處理器的情況下使手機感覺更快，那麼我們就不會抱怨。
消息來源:T3
